機械-12 電気機器・パワーエレクトロニクス・応用・制御
パワー半導体デバイス
- パワーエレクトロニクス
- ダイオード
- サイリスタ
- GTO
- パワーMOSFET
- IGBT
- ターンオン
- ターンオフ
はじめに
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「エアコンのインバータって、中で何をしているんだろう……」
前回の記事では、同期電動機を学びました。同期速度でぴったり回り、界磁電流で力率まで変えられる、太い巻線と鉄心でできた大きな機械でした。
ところが、いまの家電や電車の中をのぞくと、モーターの速さや電圧を細かく調整しているのは、手のひらにのるほどの小さな部品です。エアコンが静かに回転数を変えられるのも、電車がなめらかに加速できるのも、この部品のおかげです。
実は、この部品がしていることは、とても単純です。電気の通り道を、1秒間に何千回、何万回というすばやさで「入れる・切る」と切りかえているだけなのです。入れている時間と切っている時間の割合を変えることで、電圧や周波数を自在に作り出します。
そこで登場するのが、今回の主役 パワー半導体デバイス です。大きな電力をオン・オフする、半導体でできたスイッチです。
今回の記事では、パワーエレクトロニクスの考え方と、ダイオード・サイリスタ・GTO・パワーMOSFET・IGBTという代表的なデバイスの性質、そしてオン・オフの切りかえで生まれる損失について解説します。
パワーエレクトロニクス:電力をスイッチで操る
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はじめに、パワーエレクトロニクスについて紹介します。
半導体のスイッチを使って、電力の形(直流か交流か、電圧、周波数)を変える技術を パワーエレクトロニクス と呼びます。電力(パワー)を、電子回路(エレクトロニクス)の技術で扱う、という意味です。
電力の変換には、大きく4つの種類があります。
【電力変換の4つの種類】
- 順変換(整流): 交流 → 直流。スマホの充電器など
- 逆変換: 直流 → 交流。インバータ。エアコンや電車のモーターの駆動など
- 直流変換: 直流 → 別の電圧の直流。チョッパ
- 交流変換: 交流 → 別の電圧や周波数の交流
それぞれの回路は、次の記事以降で学びます。今回は、その中で使うスイッチそのものに注目します。
なぜスイッチを使うのでしょうか? 電圧を下げるだけなら、抵抗を直列に入れてもできます。ところが、抵抗では、下げたぶんの電力がすべて熱になってしまいます。
具体的に計算してみましょう。100V の直流電源から、5Ω の負荷に 50V をかけたいとします。抵抗で下げるなら、5Ω を直列に入れ、電流は A です。負荷が使う電力は W ですが、直列の抵抗でも W が熱になります。電源から出る 1000W のうち、半分を捨てているのです。
一方、スイッチなら、オンのときは電圧がほぼ 0、オフのときは電流が 0 です。電圧と電流のどちらかがほぼ 0 なので、スイッチ自身で消費する電力はわずかです。オンとオフを半分ずつにすれば、負荷にかかる電圧の平均は 50V になります。水道の蛇口を少しだけ開けて水を絞るのではなく、全開と全閉をすばやく繰り返して平均の水量を調整する、というイメージです。
このように、パワーエレクトロニクスは半導体のスイッチで電力の形を変える技術で、オン・オフで調整するので、むだな熱がほとんど出ません。
以上が、パワーエレクトロニクスについてです。
ダイオードとサイリスタ:オンだけ選べるスイッチ
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次に、ダイオードとサイリスタについて紹介します。
パワー半導体デバイスは、「オンとオフを、外から指令できるかどうか」で性格が分かれます。ここで、スイッチがオフからオンに変わることを ターンオン、オンからオフに変わることを ターンオフ と呼びます。1つずつ見ていきましょう。
1. ダイオード
ダイオード は、電流を一方向にだけ流す、端子が2つのデバイスです。電流が入る側を アノード、出る側を カソード と呼びます。
アノードがカソードより高い電圧(順方向の電圧)のときは電流が流れ、逆向きの電圧(逆方向の電圧)のときは流れません。水道管の 逆止弁 と同じで、水は一方向にしか通りません。
ダイオードには、外から指令を出す端子がありません。かかる電圧の向きだけで、オンとオフが勝手に決まります。オン・オフを選べない、制御できないスイッチです。
2. サイリスタ
サイリスタ は、アノードとカソードに加えて、指令用の ゲート という端子を持つデバイスです。
順方向の電圧がかかっていても、サイリスタはそれだけでは電流を流しません。ゲートに小さな電流を流すと、そこで初めてターンオンします。つまり、オンにするタイミングを外から選べます。
ここがポイントです。サイリスタは、一度オンになると、ゲートの電流をやめてもオンのままです。オフにするには、流れている電流をほぼ 0 にするか、逆向きの電圧をかける必要があります。交流の回路では、電圧の向きが半周期ごとに入れかわるので、自然にターンオフします。
たとえるなら、ばね付きの扉です。押せば(ゲート電流)開きますが、いったん人の流れができると、流れが途切れるまでは閉められません。
試験のポイント:サイリスタは、ゲート信号でターンオンはできますが、ゲート信号でターンオフはできません。この点が、次に学ぶデバイスとの大きな違いです。
このように、ダイオードは電圧の向きだけでオン・オフが決まり、サイリスタはゲートでターンオンだけを選べるスイッチです。
以上が、ダイオードとサイリスタについてです。
GTO・パワーMOSFET・IGBT:オフも選べるスイッチ
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続いて、GTO・パワーMOSFET・IGBTについて紹介します。
直流の回路では、電圧の向きが入れかわらないので、サイリスタは自然にはターンオフしません。そこで、ゲートの信号でオフにもできるデバイスが作られました。このように自分でオフにできる性質を 自己消弧 と呼びます。1つずつ見ていきましょう。
1. GTO
GTO(ゲートターンオフサイリスタ)は、ゲートに逆向きの電流を流すとターンオフできるサイリスタです。大きな電圧・大きな電流を扱えるので、かつては電車の駆動装置などで広く使われました。ただし、オフにするためのゲート電流が大きく、オン・オフの切りかえもあまり速くありません。
2. パワーMOSFET
パワーMOSFET は、ゲートに電圧をかけるだけでオン・オフを操れるデバイスです。端子は、ゲート・ドレーン・ソースの3つです。ゲートには電流がほとんど流れないので、指令を出すための電力がわずかで済みます。このような駆動のしかたを 電圧駆動 と呼びます。
最大の長所は、切りかえがとても速いことです。1秒間に数十万回を超えるオン・オフもできます。一方、高い電圧に耐える品種ほどオンのときの抵抗が大きくなり、損失が増えます。そのため、比較的低い電圧・小さな容量の用途、例えばパソコンなどの電源回路に向いています。
3. IGBT
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、パワーMOSFETとバイポーラトランジスタのよいところを組み合わせたデバイスです。端子は、ゲート・コレクタ・エミッタの3つです。
入力側は MOSFET と同じ電圧駆動なので、小さな電力で操れます。出力側はバイポーラトランジスタと同じしくみで、大きな電流を流してもオンのときの電圧が低く保たれます。中容量から大容量まで扱え、切りかえも十分に速いので、エアコンや電車のインバータの主役になっています。
【代表的なデバイスのまとめ】
| デバイス | ターンオン | ターンオフ | 特徴 |
|---|---|---|---|
| ダイオード | 順方向の電圧で自然に | 逆方向の電圧で自然に | 制御できない |
| サイリスタ | ゲート電流 | 電流をほぼ 0 にする | ターンオンだけ制御できる |
| GTO | ゲート電流 | 逆向きのゲート電流 | 大容量。切りかえは遅め |
| パワーMOSFET | ゲート電圧 | ゲート電圧を取り去る | 電圧駆動。最も速い。小容量向き |
| IGBT | ゲート電圧 | ゲート電圧を取り去る | 電圧駆動。中〜大容量向き |
試験のポイント:「電圧駆動なのは MOSFET と IGBT」「最も速いのは MOSFET」「インバータで広く使われるのは IGBT」の3点がよく問われます。
このように、GTO・パワーMOSFET・IGBTはゲートの信号でオフにもできる自己消弧形のデバイスで、MOSFETとIGBTは電圧で駆動します。
以上が、GTO・パワーMOSFET・IGBTについてです。
スイッチングの損失:オン・オフの瞬間に出る熱
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最後に、スイッチングの損失について紹介します。
最初の節で、スイッチはむだな熱がほとんど出ないと説明しました。ただし、まったく 0 ではありません。損失は、大きく2つの場面で生まれます。
【パワー半導体デバイスの損失】
- 導通損失: オンの間、デバイスに少しだけ電圧が残るために出る損失
- スイッチング損失: ターンオンとターンオフの途中で、電圧と電流が同時に流れている短い時間に出る損失
スイッチング損失について、もう少し詳しく見てみましょう。実際のスイッチは、一瞬でオン・オフが切りかわるわけではありません。ターンオンの途中では、電流が増えていくのに電圧がまだ残っています。ターンオフの途中では、電圧が上がっていくのに電流がまだ流れています。この重なりの時間に、電圧 × 電流の電力が熱になります。
回転ドアを思い浮かべてください。ドアが回っている途中は、入るのにも出るのにも少し手間がかかります。1回ごとの手間は小さくても、1秒間に何万回も回せば、合計の手間は大きくなります。スイッチング損失は、1回あたりのエネルギーに、1秒間の切りかえの回数(スイッチング周波数)を掛けて求めます。
例題:IGBTの損失を求める
ある IGBT は、オンのときの電圧が 2V です。50A の電流を、オンとオフを半分ずつの割合で切りかえて流しています。ターンオン1回とターンオフ1回で合わせて 4mJ のエネルギーを失い、スイッチング周波数は 10kHz です。導通損失とスイッチング損失の合計は何Wでしょうか?
【解き方】
- 導通損失: オンの時間は半分なので、 W
- スイッチング損失: 1周期で 4mJ を失い、1秒間に 10000 周期あるので、 W
- 合計: W
答えは 90W です。mJ を J に、kHz を Hz に直すところで、桁を間違えないようにしましょう。スイッチング周波数を2倍の 20kHz にすると、スイッチング損失は 80W に増えます。
切りかえを速くするほど、出力の電圧や電流をなめらかにできます。その一方で、スイッチング損失は増えます。そのため、1回のオン・オフにかかる時間が短いデバイスほど、高い周波数で使いやすいのです。
このように、パワー半導体デバイスの損失は、オンの間の導通損失と、切りかえの瞬間のスイッチング損失からなり、スイッチング損失は周波数に比例して増えます。
以上が、スイッチングの損失についてです。
今回のまとめ
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それでは、今回の内容を振り返ります。
今回は、パワー半導体デバイスについて紹介しました。パワーエレクトロニクスは、抵抗で電力を捨てるのではなく、スイッチのオン・オフで電力を操る技術です。デバイスは、ターンオンとターンオフを外から選べるかどうかで性格が分かれます。
今回のポイントを振り返りましょう。
振り返り
- パワーエレクトロニクスは、半導体のスイッチで電力の形を変える技術。損失が小さい。
- ダイオードは電圧の向きだけでオン・オフが決まり、制御できない。
- サイリスタはゲートでターンオンできるが、ゲートではターンオフできない。
- GTO・パワーMOSFET・IGBTは自己消弧形。MOSFETとIGBTは電圧駆動。
- 損失は導通損失とスイッチング損失。スイッチング損失は周波数に比例する。
キーワードのおさらい
- パワーエレクトロニクス: 半導体のスイッチで電力の形を変える技術
- ダイオード: 電流を一方向にだけ流す、制御端子のないデバイス
- サイリスタ: ゲート電流でターンオンし、電流がほぼ 0 になるとターンオフするデバイス
- GTO: 逆向きのゲート電流でターンオフもできるサイリスタ
- パワーMOSFET: ゲート電圧で操る、最も切りかえの速いデバイス
- IGBT: MOSFETの電圧駆動とバイポーラトランジスタの大電流を兼ねたデバイス
- ターンオン: デバイスがオフからオンに変わること
- ターンオフ: デバイスがオンからオフに変わること
以上が、今回のまとめです。
さて、スイッチの性質は分かりました。では、このスイッチを組み合わせて、コンセントの交流から直流を取り出すには、どうすればよいのでしょうか?
次回は、交流を直流に変える「整流回路」について紹介します。
それでは、次の記事へ進んでいきましょう。